Estudou no Instituto de Tecnologia de Massachusetts com o Professor John Clarke Slater (1900 –1976) e obteve seu Ph.D. em 1936, com tese sobre a estrutura de bandas de energia do cloreto de sódio. No mesmo ano ingressou na Bell Telephone Laboratories, trabalhando no grupo liderado pelo Dr. Clinton Joseph Davisson (1881 –1958), onde permaneceu até 1955.

Foi diretor do Laboratório de Semi-condutor da Beckman Instruments, Inc, Califórnia, para o desenvolvimento de pesquisa e produção de novos transistores e outros dispositivos semicondutores.

A pesquisa de Shockley foi centrada em bandas de energia em sólidos; ordem e desordem em ligas; teoria dos tubos de vácuo; auto-difusão de cobre; teorias de deslocamentos e limites de grãos; experiência e teoria sobre domínios ferromagnéticos; experimentos em fotoeletrons em cloreto de prata; vários tópicos em física transistor e pesquisa de operações sobre as estatísticas de salário e produtividade individual em laboratórios de pesquisa.

Inventou um novo tipo de transistor com uma camada de estrutura: o transistor de junção, patenteada em 1951, que passou a ser utilizado pela grande maioria de transistores na década de 1960. Evoluiu para o transistor bipolar de junção. Atualmente são encontrados em todos os produtos domésticos de uso diário: rádios, televisões, gravadores, aparelhos reprodutores de áudio e vídeo, fornos de micro-ondas, lavadoras, automóveis, equipamentos de refrigeração, alarmes, relógios, computadores, calculadoras, impressoras, lustres fluorescentes, equipamentos de raios X, tomógrafos, ecógrafos, aparelhos reprodutores mp3, celulares, etc.

William Bradford Shockley (✦Londres, Inglaterra, 13/02/1910 - ✚Stanford, USA, 12/08/1989)